Японы Засгийн газар дараагийн үеийн нанометрийн хагас дамжуулагчийг хөгжүүлэх зорилгоор АНУ-тай хамтарсан "R&D" төв байгуулахаар болсон байна. Энэхүү төвд нийт 2.38 тэрбум ам.доллар хуваарилахаар төлөвлөж байгааг "Nikkei" сайтад мэдээлжээ.
Энэ оны долоодугаар сарын сүүлээр Япон болон АНУ-ын гадаад бодлого, эдийн засгийн яамны тэргүүнүүд "2+2" форматаар байгуулах тухай тохиролцоонд хүрсэн юм. Японы Эдийн засаг, худалдаа, аж үйлдвэрийн сайд асан Коичи Хагиүда өнгөрсөн тавдугаар сард АНУ-ын "IBM" технологийн компанид айлчилж байсан билээ. Тэгвэл энэхүү компани тус төвийн үйл ажиллагаанд оролцохоор нэр дэвшээд байгаа аж.
Японы Засгийн газраас дата төв, хиймэл оюун ухаан болон бусад дэвшилтэт технологид шаардлагатай хагас дамжуулагч үйлдвэрлэдэг үйлдвэрүүдийг Японд барихын тулд Тайванийн хагас дамжуулагч үйлдвэрлэл, Киоксиа болон АНУ-ын Микрон технологид татаас олгохыг баталсан. Тус яамнаас хагас дамжуулагчийг эдийн засгийн аюулгүй байдалд чухал ач холбогдолтой, мөн иений ханш түүхэнд унасан нь хөрөнгө оруулалт татах боломж гэж үзэж байгаа учраас дээрх шийдвэрүүдийг гаргажээ. Түүгээр зогсохгүй бүс нутгийн ажил эрхлэлт, цалингийн өсөлтийг их хэмжээний хөрөнгө оруулалтаар өдөөх эдийн засгийн мөчлөгийг бий болгон хэмээн үзэж байгаа аж.
Энэхүү судалгааны төвийг оны эцэс гэхэд байгуулахаар төлөвлөж байгаа ажээ. Төсөлд Токиогийн их сургууль, Дэвшилтэт үйлдвэрлэлийн шинжлэх ухаан, технологийн үндэсний хүрээлэн, Рикений байгалийн шинжлэх ухааны хүрээлэн хамтран ажиллах юм байна.
АНХААРУУЛГА: Уншигчдын бичсэн сэтгэгдэлд Eguur.mn хариуцлага хүлээхгүй болно. Манай сайт ХХЗХ-ны журмын дагуу зүй зохисгүй зарим үг, хэллэгийг хязгаарласан тул Та сэтгэгдэл бичихдээ бусдын эрх ашгийг хүндэтгэн үзнэ үү.